MOS又分为兩种，一种为耗尽型（DepletionMOS），另一种为增强型（EnhancementM...MOS又分为兩种，一种为耗尽型（DepletionMOS），另一种为增强型（EnhancementMOS）。 因为场效应管拓展器的输入阻抗很高，因而耦合电容能够容量较小，不必运用电...
N沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS管的结构基本相同。差别在于耗尽型MOS管的Si...N沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS管的结构基本相同。差别在于耗尽型MOS管的Si02绝缘层中掺有大量的正离子Na+或K+（制造P沟道耗尽型MOS管时掺人负离子），故在UCs...
用测电阻法区分结型场效应管的电极对VMOSV沟道增强型场效应管丈量跨导性能时，...用测电阻法区分结型场效应管的电极对VMOSV沟道增强型场效应管丈量跨导性能时，可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D，这就持平于在源、漏极之间加了一个反向电压。此...
Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到） Tr：上升时刻。输...Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到） Tr：上升时刻。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时刻 td(on)：MOS导通延迟时刻，从有驶入电压上升...
向传输电容 Crss = CGD . Coss:输出电容 Coss = CDS +CGD . Ciss:输入电容...向传输电容 Crss = CGD . Coss:输出电容 Coss = CDS +CGD . Ciss:输入电容 Ciss= CGD + CGS ( CDS 短路). Tf :下降时刻.输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 9...
Mosfet参数意义阐明 Features: Vds： DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所...Mosfet参数意义阐明 Features: Vds： DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压 Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻 Id：...
